显然，这个进度比三星公布的时间要慢不少，预计到年底也只能进行小规模的量产。而台积电的3nm工艺应该也能在今年第四季度之前开始量产，这样一来两家的时间就相差不多了，大规模量产都要拖到明年了。
不过，按照三星公布的消息，其3nm工艺采用的是更为先进的GAA环绕栅极晶体管技术，相比与台积电的FinFET晶体管技术会更为先进。在性能、功耗、芯片面积等各个方面，纸面参数都是要比台积电3nm工艺更优秀的。
相比与7nm工艺，三星3nm GAA工艺的芯片逻辑面积提高45%以上，功耗降低50%，性能提高约35%。如果真的能达到这样的水准，那确实有机会在3nm技术上实现弯道超车，一举追上台积电。之前，三星的7nm、5nm工艺表现都不如台积电，三星也是把宝都压在了3nm工艺上，并且在技术上还领先了一步，希望这一次能有大幅提升
之前有传言称，台积电的3nm工艺产能已经被苹果、英特尔提前预定，高通、AMD等其他厂商分不到多少，所以准备转头三星3nm。高通这边想要第一时间用上先进工艺，也就只能找三星了。如果三星3nm工艺能达到理论性能，那高通旗舰芯片也有机会迎来一波大的性能提升。
半导体行业竞争越来越激烈，在先进工艺方面依旧是台积电占据主导地位，而苹果作为其最大客户，总是能最快用上最先进的技术。如下半年将用于iPhone 14的A16芯片，很可能就会首发采用台积电3nm工艺，性能、制程工艺等方面都领先高通。安卓阵营想要有更大的进步，确实得期待一波三星。
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