比台积电先进!三星3nm工厂即将开工:高通还会继续用吗?

3月9日消息,此前三星就曾宣布,其3nm工艺已经研发完成,预计会在今年第二季度开始试产,比台积电的进度更快。近日,韩国媒体报道称,三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂,预计6月份前后动工,届时就能导入设备并开始试产调试了。

显然,这个进度比三星公布的时间要慢不少,预计到年底也只能进行小规模的量产。而台积电的3nm工艺应该也能在今年第四季度之前开始量产,这样一来两家的时间就相差不多了,大规模量产都要拖到明年了。

不过,按照三星公布的消息,其3nm工艺采用的是更为先进的GAA环绕栅极晶体管技术,相比与台积电的FinFET晶体管技术会更为先进。在性能、功耗、芯片面积等各个方面,纸面参数都是要比台积电3nm工艺更优秀的。

相比与7nm工艺,三星3nm GAA工艺的芯片逻辑面积提高45%以上,功耗降低50%,性能提高约35%。如果真的能达到这样的水准,那确实有机会在3nm技术上实现弯道超车,一举追上台积电。之前,三星的7nm、5nm工艺表现都不如台积电,三星也是把宝都压在了3nm工艺上,并且在技术上还领先了一步,希望这一次能有大幅提升

之前有传言称,台积电的3nm工艺产能已经被苹果、英特尔提前预定,高通、AMD等其他厂商分不到多少,所以准备转头三星3nm。高通这边想要第一时间用上先进工艺,也就只能找三星了。如果三星3nm工艺能达到理论性能,那高通旗舰芯片也有机会迎来一波大的性能提升。

半导体行业竞争越来越激烈,在先进工艺方面依旧是台积电占据主导地位,而苹果作为其最大客户,总是能最快用上最先进的技术。如下半年将用于iPhone 14的A16芯片,很可能就会首发采用台积电3nm工艺,性能、制程工艺等方面都领先高通。安卓阵营想要有更大的进步,确实得期待一波三星。

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